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技術職(機械・電気)/プロセスエンジニア(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

成膜プロセスエンジニア

日本エー・エス・エム株式会社

東京都

550万~799万

正社員 株式公開

仕事内容

成膜プロセスエンジニア
【エピタキシャル装置、プラズマCVD装置でトップクラスのグローバル半導体製造装置企業!プラズマCVD装置は日本が開発の中心!】
【近年注目されているハフニウムを利用したゲート絶縁膜(High-k)の開発分野では先駆的な存在!】

■概要:CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)やALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積法)のプロセス開発を行っていただきます。開発型の業務にはなりますが、装置調整作業, 客先デモ対応、開発進捗の客先プレゼンなどを幅広く対応する必要があります。
出張に関しては多い方で年の1/5前後がASM海外現法人、顧客先への出張となります。海外出張先は米国、台湾、アイルランド等です。

・半導体製造装置(プラズマCVD、プラズマALD-薄膜形成装置)での薄膜形成プロセスの開発およびプロセス技術の改善
・デバイス層間絶縁膜(Low-k膜)、ゲート絶縁膜向けのHigh-k膜の新規開発

■ASMグループにおける日本法人の立ち位置:
・外資系企業ながら開発拠点が日本にあり、CVD装置は研究開発から製造・部品調達、カスタマイズまで全て日本で行っています。製品毎に主要開発拠点があり、日本はCVD装置の開発拠点という位置づけになります。また、近年話題のハフニウム使用のゲート絶縁膜分野では先駆的な存在となります。

応募要項

職種 技術職(機械・電気)
求めるスキル 【学歴】大学院、大学、高等専門学校卒以上
【必要業務経験】
■以下いずれかの経験をお持ちの方
(1)半導体シリコンデバイスの成膜またはエッチングプロセス開発の経験者
(2)半導体微細加工プロセス装置に関する知識と材料技術/化学/物理での経験・知識

※プロセス・インテグレーション技術の経験者尚可

【語学】
◆必須
・英語(中級レベル)

◆任意
・英語(上級レベル)
給与 【年収】
580万円~720万円
月給33万円以上
■30代半ばまでは年齢に応じた年収額が決定されます。30代後半より実績に応じて変化します(契約社員採用の場合は賃金テーブルも比較的柔軟に対応が可能です)。
■40歳の社員の平均年収は700万程度です。
賞与:
福利厚生 有給休暇12日~22日
休日日数130日

■完全週休二日制、夏季休暇5日、年末年始7日(2010年度)、創立記念日(6月14日)
通勤手当、家族手当、住居手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度

■年金基金/健康診断/財形貯蓄制度/健保・各種契約保養所(補助金あり)/企業医療保険/地域手当(東京7%)など
勤務地 本社
東京都多摩市永山6-23-1
【上記勤務地最寄り駅】
小田急線・京王線/永山
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http://doda.jp/DodaFront/View/JobSearchDetail.action?jid=3001418158&ndrs=a56e770ca1c2de

会社情報 その他海外市場

日本エー・エス・エム株式会社

事業内容 半導体製造装置(プラズマCVD装置、プラズマALD装置、減圧CVD装置、エピタキシャル製造装置-半導体製造の前工程で使用されるウェーハ薄膜形成装置)の開発製造、販売をコアビジネスとした精密機器製造企業です。
所在地 東京都多摩市永山6-23-1
代表者 吉田 富徳
設立 1982年6月
資本金 4,600百万円
従業員数/平均年齢 176名/41.1歳
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